阿尔西 VENUS 温控系统：攻克芯片制程温度波动困境

在全球半导体制造工艺向 3 纳米及以下制程迈进的当下，芯片制造的精准度已迫近物理极限边缘。在诸如光刻、蚀刻等关键工艺流程里，仅 0.1℃的温度起伏，便可能致使晶圆良率急剧下滑，甚至造成整批次芯片报废。实现全程 “超精密温控”，已然成为国产芯片突破国外技术围堵、抢占高端市场份额的重中之重。阿尔西 VENUS 系列温控机台顺势而生，依仗双通道可切换架构以及瞬时动态响应性能，化身为国产高端芯片产线的核心温控支撑，助力客户在竞争红海中达成良率跃升。

芯片制造的行业难题—— 温度波动难题

当芯片制造踏入 3 纳米制程阶段，温度管控的难度呈指数级攀升，远超以往传统工艺范畴。以光刻机曝光环节为例，温度波动必须被严苛地限制在 ±0.01℃之内，其精度堪比在广袤的足球场上精准定位一粒沙子的坐标；至于刻蚀工艺，反应腔体温度需在瞬间完成调整以适配工艺要求，但传统温控系统受制于机械式控温思维以及单通道设计布局，存在明显的响应延迟，无法契合迅速多变的工况需求。再者，芯片制造流程复杂，横跨多个工艺环节，各环节对温控的要求天差地别，单一温控系统难以实现对不同场景的高效适配。这些棘手问题，犹如一道难以逾越的鸿沟，严重制约着先进制程芯片良率的提升。

VENUS 温控系统：重塑温控逻辑的 “破局者”

阿尔西 VENUS-CHD1015 凭借三大核心技术革新，重塑了芯片制造温控领域的既有规则。其独立双通道设计，其中 CH1 温度跨度从 - 20°C 至 + 80°C，CH2 温度区间在 + 30°C 至 + 90°C 之间，这一架构使得多工艺场景能够实现无缝衔接，无论是光刻、刻蚀还是离子注入等环节，均可得到精准匹配的温控支持。系统内置的智能温控逻辑会大幅缩减模式切换时长，无论是从低温稳定状态切换至高温瞬变工况，亦或是其他复杂的温控切换需求，都能得到高效、精准的响应。

在半导体产业群雄逐鹿的竞争格局中，阿尔西 VENUS 温控系统以硬核科技强势突围，为国产芯片在高端制程赛道上撕开了一道突破口，从曾经的跟跑者逐渐迈向领跑者行列。温度控制领域的每一次微小精进，都在不断夯实 “中国智造” 的底气，而阿尔西温控专家正以卓越的技术创新，重新勾勒芯片制造的行业标准，助推国产半导体产业在全球科技舞台上攀至技术巅峰，闪耀世界舞台。

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